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VMO 1600-02P
60
1600
50
40
V R = 100 V
T VJ = 125°C
1400
1200
1000
800
30
20
600
400
200
T J = 125°C
T J = 25°C
10
400
600
800
1000
1200
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-di F /dt [A/μs]
Fig. 13 Typical reverse recovery charge Q rr
of the body diode vers u s di/dt
0.040
0.035
0.030
V SD [V]
Fig. 14 Source drain current I F (body diode) vs.
typical source drain voltage V SD
V GS
0.9 V GS
0.025
0.020
V DS
I D
0.1 V GS
0.9 I D
0.9 I D
t
0.015
0.010
0.1 I D
t d(on)
t r
t d(off)
t f
0.1 I D
t
0.005
0.000
1
10
100
t [ms]
1000
10000
Fig. 15 Definition of switching times
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
Fig. 16 Typ. thermal impedance junction to
heatsink Z thJH with heat transfer paste
20100302b
6-6
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